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          集成电路布图设计专有权公告(2018年9月21日)
          发布时间:2018-09-21

          布图设计登记号:BS.17500966X
          布图设计申请日:2017年10月16日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16723
          布图设计名称:400万像素global shutter CMOS图像传感器版图
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
          布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22,23号
          布图设计创作人:张桂迪、何学红、史汉臣
          代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
          代理人?#20309;?#19990;华
          布图设计创作完成日:2017年3月29日


          布图设计登记号:BS.175009678
          布图设计申请日:2017年10月16日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16724
          布图设计名称:130万像素global shutter CMOS图像传感器版图
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海集成电路研发中心有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区高斯路497号
          布图设计权利人:成都微光集电科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天府大道中段1268号1栋3层22,23号
          布图设计创作人:张桂迪、李停、陈西昌
          代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
          代理人?#20309;?#19990;华
          布图设计创作完成日:2017年7月26日


          布图设计登记号:BS.175537283
          布图设计申请日:2017年11月15日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16725
          布图设计名称:电磁信号控制电路
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:微?#22270;?#31639;机
          布图设计权利人:佛山市壹?#24067;?#33258;动化设备有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省佛山市顺德区陈村镇广隆工?#30331;?#24191;隆中路1号之一(4楼7室)
          布图设计创作人:袁春林
          代理机构:北京中建联合知识产权代理事务所(普通合伙)
          代理人:周?#21578;?br /> 布图设计创作完成日:2016年3月16日


          布图设计登记号:BS.175538034
          布图设计申请日:2017年11月20日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16726
          布图设计名称:IL-G02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:?#20154;?#19978;海)数据科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市青浦区公园东路1155号科技孵化服务中心5016-218室
          布图设计创作人:陈全成、陈文靖
          布图设计创作完成日:2017年8月20日


          布图设计登记号:BS.175538107
          布图设计申请日:2017年11月20日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16727
          布图设计名称:IL-T02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:?#20154;?#19978;海)数据科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市青浦区公园东路1155号科技孵化服务中心5016-218室
          布图设计创作人:陈全成、陈文靖
          布图设计创作完成日:2017年8月20日


          布图设计登记号:BS.175539669
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16728
          布图设计名称:K003
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:田欢、方燕枝
          布图设计创作完成日:2017年8月28日


          布图设计登记号:BS.175539693
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16729
          布图设计名称:D5102
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年8月4日


          布图设计登记号:BS.175539707
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16730
          布图设计名称:TI6003
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:艾磊、李茂登、陈超、高继
          布图设计创作完成日:2017年8月4日


          布图设计登记号:BS.175539715
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16731
          布图设计名称:D2005
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年8月4日


          布图设计登记号:BS.175539723
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16732
          布图设计名称:D7001
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年8月4日


          布图设计登记号:BS.175539731
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16733
          布图设计名称:TI4008
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:李茂登
          布图设计创作完成日:2017年10月3日


          布图设计登记号:BS.17553974X
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16734
          布图设计名称:TI4002
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:李茂登
          布图设计创作完成日:2017年11月2日


          布图设计登记号:BS.175539758
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16735
          布图设计名称:D5004
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年7月3日


          布图设计登记号:BS.175539782
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16736
          布图设计名称:D1003
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年5月26日


          布图设计登记号:BS.175539790
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16737
          布图设计名称:D3001
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:深圳市创新微源半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区车公庙工?#30331;?#27888;然211栋512室
          布图设计创作人:刘传军
          布图设计创作完成日:2017年10月9日


          布图设计登记号:BS.175539804
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16738
          布图设计名称:Ask_top
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:上海芯海集成电路设计有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区金科路2889弄3号长泰广场C座11层
          布图设计创作人:师勇勇
          代理机构:上海骁象知识产权代理有限公司
          代理人:赵俊寅
          布图设计创作完成日:2017年9月9日


          布图设计登记号:BS.175009554
          布图设计申请日:2017年10月17日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16739
          布图设计名称:GD32F330XX GD32F350XX
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:北京兆易创新科技股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
          布图设计创作人:于明、杜兴兴、于彩灯、黄雪晴、段海洁
          代理机构:北京品源专利代理有限公司
          代理人?#27721;?#24428;
          布图设计创作完成日:2016年12月6日
          布图设计首次商业利用日:2017年4月1日


          布图设计登记号:BS.175009562
          布图设计申请日:2017年10月17日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16740
          布图设计名称:GD32F170XX GD32F190XX
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:北京兆易创新科技股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
          布图设计创作人:于明、黄雪晴、段海洁
          代理机构:北京品源专利代理有限公司
          代理人?#27721;?#24428;
          布图设计创作完成日:2015年7月15日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月1日


          布图设计登记号:BS.175012008
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16741
          布图设计名称:一种光电二极管阵列2.5_S PD
          布图设计类别:
              结构:Optical-IC
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人?#21644;?#28304;微(北京)半导体技术有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市东城区和平里东街11号8号楼1-B1号
          布图设计创作人?#21644;?#21191;
          布图设计创作完成日:2016年11月28日
          布图设计首次商业利用日:2017年9月22日


          布图设计登记号:BS.175012016
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16742
          布图设计名称:一种电流放大器阵列
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人?#21644;?#28304;微(北京)半导体技术有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市东城区和平里东街11号8号楼1-B1号
          布图设计创作人?#21644;?#21191;
          布图设计创作完成日:2017年2月27日
          布图设计首次商业利用日:2017年8月25日


          布图设计登记号:BS.175012156
          布图设计申请日:2017年12月11日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16743
          布图设计名称:应用于无线通信射?#30331;?#31471;的高通滤波器
          布图设计类别:
              结构:其他
              技术:其他
              功能:其他
          布图设计权利人:安?#36213;?#22612;电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋
          布图设计创作人?#21644;?#26195;东、左成杰、戴立杰、程伟、汪鹏
          代理机构:北京品源专利代理有限公司
          代理人?#27721;?#24428;
          布图设计创作完成日:2017年11月20日


          布图设计登记号:BS.175536317
          布图设计申请日:2017年11月2日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16744
          布图设计名称:数模混合C1406101
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:北京芯愿景软件技术有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区高里掌路1号院2号楼1层102
          布图设计创作人:北京芯愿景软件技术有限公司
          布图设计创作完成日:2017年9月10日


          布图设计登记号:BS.175539251
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16745
          布图设计名称:HP4059
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:唐沛寅、莫小英、王虎刚、魏汝新
          布图设计创作完成日:2017年12月4日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月4日


          布图设计登记号:BS.17553926X
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16746
          布图设计名称:HP6513
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:唐沛寅、魏汝新、曹侠、王强
          布图设计创作完成日:2017年12月4日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月4日


          布图设计登记号:BS.175539278
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16747
          布图设计名称:HP6215
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:唐沛寅、魏汝新、戴维、丁丽华
          布图设计创作完成日:2017年12月4日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月4日


          布图设计登记号:BS.175539286
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16748
          布图设计名称:HP6003
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:莫小英、王虎刚、曹侠、王强
          布图设计创作完成日:2017年12月4日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月4日


          布图设计登记号:BS.175539383
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16749
          布图设计名称:HP9115
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:莫小英、唐沛寅、王虎刚、魏汝新
          布图设计创作完成日:2017年12月4日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月4日


          布图设计登记号:BS.175539405
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16750
          布图设计名称:HWD570
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:李宜桓、李庆飒、耿林、李亚杰、余梅、王蚕英、刘云搏、阙小茜、何相龙、孙海、冯萍、丛伟林、李建秋、李亚霈、侯柯君、夏明刚
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘姚
          布图设计创作完成日:2016年6月10日


          布图设计登记号:BS.175539421
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16751
          布图设计名称:HWD664
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:张克林、李大刚、林立爽、习小芃、黄俊杰、曾泫鸿
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘姚
          布图设计创作完成日:2016年11月30日


          布图设计登记号:BS.17553957X
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16752
          布图设计名称:HWD8412_T
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:张克林、李大刚、林立爽、刁小芃、曾泫鸿
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘勋
          布图设计创作完成日:2016年11月30日


          布图设计登记号:BS.175539588
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16753
          布图设计名称:HP761
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:瀚昕微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢414室
          布图设计创作人:莫小英、王虎刚、贾亚菲、罗菊亚
          布图设计创作完成日:2017年12月5日
          布图设计首次商业利用日:2017年12月5日


          布图设计登记号:BS.175539596
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16754
          布图设计名称:HWD70302
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:张克林、冯浪、包帆
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘勋
          布图设计创作完成日:2016年11月30日


          布图设计登记号:BS.17553960X
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16755
          布图设计名称:HWD70345
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:张克林、冯浪、包帆
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘勋
          布图设计创作完成日:2016年11月30日


          布图设计登记号:BS.175539626
          布图设计申请日:2017年12月5日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16756
          布图设计名称:HWD70351
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:成都华微电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市益州大道1800号天府软件园G区22层
          布图设计创作人:冯浪、张克林、包帆
          代理机构:成都惠迪专利事务所(普通合伙)
          代理人:刘勋
          布图设计创作完成日:2016年11月30日


          布图设计登记号:BS.175008833
          布图设计申请日:2017年9月21日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16757
          布图设计名称:AT8812
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人?#27721;?#24030;中科微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区江南大道3850号创新大厦10楼
          布图设计创作人?#21644;?#24039;玲、吴佳宇
          代理机构:上海旭诚知识产权代理有限公司
          代理人:郑立
          布图设计创作完成日:2016年6月30日
          布图设计首次商业利用日:2016年2月2日


          布图设计登记号:BS.175010404
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16758
          布图设计名称:AD_MOTOR_RATE
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:TTL
              功能:其他
          布图设计权利人:北方电子研究院安徽有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址: 安徽省蚌埠市汤和路2016号
          布图设计创作人?#27721;?#20256;菊、陈超、姚芳、胡宇航、吕江萍、刘成玉、赵杰、王丽丽、刘霞、杨?#32622;?br /> 代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司
          代理人:耿英
          布图设计创作完成日:2017年8月30日


          布图设计登记号:BS.175010412
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16759
          布图设计名称:BY1027
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:北方电子研究院安徽有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:安徽省蚌埠市汤河路2016号
          布图设计创作人:吕江萍、赵杰
          代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司
          代理人:耿英
          布图设计创作完成日:2017年8月30日


          布图设计登记号:BS.175010420
          布图设计申请日:2017年12月14日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16760
          布图设计名称:BY1028
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:北方电子研究院安徽有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:安徽省蚌埠市汤和路2016号
          布图设计创作人:吕江萍、刘成玉
          代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司
          代理人:耿英
          布图设计创作完成日:2015年7月30日


          布图设计登记号:BS.175011214
          布图设计申请日:2017年11月3日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16761
          布图设计名称:高压IO的单级ESD保护电路版图
          布图设计类别:
              结构:Optical-IC
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:深圳大学
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳?#24515;?#23665;区南海大道3688号
          布图设计创作人?#21644;?#32946;斌、徐渊、谢刚、潘安、刘诗琪
          代理机构:深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
          代理人:林俭良
          布图设计创作完成日:2017年10月27日


          布图设计登记号:BS.175011222
          布图设计申请日:2017年11月3日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16762
          布图设计名称:用于高工作电压下TOF深度传感器的两级ESD静电保护电路版图
          布图设计类别:
              结构:Optical-IC
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:深圳大学
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳?#24515;?#23665;区南海大道3688号
          布图设计创作人?#21495;?#23433;、徐渊、谢刚、王育斌、刘诗琪
          代理机构:深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
          代理人:林俭良
          布图设计创作完成日:2017年10月5日


          布图设计登记号:BS.175012083
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16763
          布图设计名称:ADUM12XIC_121A
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
          布图设计权利人国籍:美国
          布图设计权利人地址:美国马萨诸塞州
          布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
          代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
          代理人:周阳君
          布图设计创作完成日:2015年9月16日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月7日


          布图设计登记号:BS.175012105
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16764
          布图设计名称:ADUM12XTC_121B
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
          布图设计权利人国籍:美国
          布图设计权利人地址:美国马萨诸塞州
          布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
          代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
          代理人:程晨
          布图设计创作完成日:2015年9月16日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月7日


          布图设计登记号:BS.175012113
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16765
          布图设计名称:ADUM12XIC_121B
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
          布图设计权利人国籍:美国
          布图设计权利人地址:美国马萨诸塞州
          布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
          代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
          代理人:周阳君
          布图设计创作完成日:2015年9月16日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月7日


          布图设计登记号:BS.175012121
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16766
          布图设计名称:ADUM12XIC_120
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
          布图设计权利人国籍:美国
          布图设计权利人地址:美国马萨诸塞州
          布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
          代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
          代理人:申发振
          布图设计创作完成日:2015年9月16日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月7日


          布图设计登记号:BS.175012148
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16767
          布图设计名称:AD9545
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:美国亚德诺半导体公司
          布图设计权利人国籍:美国
          布图设计权利人地址:美国马萨诸塞州
          布图设计创作人:美国亚德诺半导体公司
          代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
          代理人:周阳君
          布图设计创作完成日:2015年4月2日
          布图设计首次商业利用日:2016年10月5日


          布图设计登记号:BS.175012172
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16768
          布图设计名称:40V/3A集成BUCK版图设计
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:东莞市长工微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
          布图设计创作人?#21495;?#21517;礼
          布图设计创作完成日:2017年10月8日


          布图设计登记号:BS.175012180
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16769
          布图设计名称:60V高端驱动器芯片的版图设计
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:东莞市长工微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
          布图设计创作人:李典阳
          布图设计创作完成日:2017年10月8日


          布图设计登记号:BS.175012199
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16770
          布图设计名称:60V半桥驱动电路版图设计
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:东莞市长工微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园4号楼211室
          布图设计创作人:李典阳
          布图设计创作完成日:2017年10月8日


          布图设计登记号:BS.175539316
          布图设计申请日:2017年12月4日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16771
          布图设计名称:UMC55LL工艺的10Gbps 高速串行接口IP核
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑-存储-其他
          布图设计权利人:成都纳能微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都高新区益州大道中段1858号天府软件园G5-708成都纳能微电子有限公司
          布图设计创作人:成都纳能微电子有限公司
          布图设计创作完成日:2016年11月8日


          布图设计登记号:BS.175539855
          布图设计申请日:2017年12月7日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16772
          布图设计名称:耳机喇叭CMOS传感器芯片
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:东莞市源智丽声学有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省东莞市万江街道上甲社区上一居一期二层商务中心写字楼302-303号
          布图设计创作人:古文达
          布图设计创作完成日:2017年11月10日


          布图设计登记号:BS.175539928
          布图设计申请日:2017年12月8日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16773
          布图设计名称?#21644;?#20687;传感器CS3825C
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:珠海市矽旺半导体有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省珠海市高新区唐家湾镇哈工大路2号4栋7楼
          布图设计创作人:珠海市矽旺半导体有限公司
          布图设计创作完成日:2017年10月12日


          布图设计登记号:BS.175539987
          布图设计申请日:2017年12月10日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16774
          布图设计名称:YMCF80-12
          布图设计类别:
              结构:Bipolar
              技术:其他
              功能:其他
          布图设计权利人:上海一旻成峰电子科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市宝山区长逸路188号1幢901室
          布图设计创作人:杨友林、朱迁蕾
          代理机构:北京维正专利代理有限公司
          代理人:郑博文
          布图设计创作完成日:2017年12月1日


          布图设计登记号:BS.175011990
          布图设计申请日:2017年12月3日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16775
          布图设计名称:DP4536
          布图设计类别:
              结构:MOS_Bi-MOS
              技术:CMOS_其他
              功能:逻辑_线性
          布图设计权利人:深圳市德普微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省深圳?#24515;?#23665;区高新南四道与科技南十路交汇处创维半导体设计大厦西座7层07-10单元
          布图设计创作人:深圳市德普微电子有限公司
          代理机构:深圳市康弘知识产权代理有限公司
          代理人?#27721;?#26397;阳
          布图设计创作完成日:2016年11月5日
          布图设计首次商业利用日:2017年3月5日


          布图设计登记号:BS.175535825
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16776
          布图设计名称:MC32P7323
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2016年4月13日
          布图设计首次商业利用日:2016年6月2日


          布图设计登记号:BS.175535833
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16777
          布图设计名称:MC30P6020
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2016年12月9日
          布图设计首次商业利用日:2017年1月9日


          布图设计登记号:BS.175535841
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16778
          布图设计名称:MC30P6070
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2016年1月19日
          布图设计首次商业利用日:2016年2月14日


          布图设计登记号:BS.17553585X
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16779
          布图设计名称:MC30P6080
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2015年12月23日
          布图设计首次商业利用日:2016年1月23日


          布图设计登记号:BS.175535892
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16780
          布图设计名称:MC32F7333
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2017年2月27日
          布图设计首次商业利用日:2017年3月28日


          布图设计登记号:BS.175535930
          布图设计申请日:2017年10月30日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16781
          布图设计名称:MC35P7041
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21512;?#36335;439号2号楼
          布图设计创作人:上海晟矽微电子股份有限公司
          布图设计创作完成日:2016年8月18日
          布图设计首次商业利用日:2016年9月18日


          布图设计登记号:BS.175538921
          布图设计申请日:2017年11月29日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16782
          布图设计名称:L013 DAC9BIT_PBIAS
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:其他
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:四川海创天芯科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市中国(四川)自由贸易实验区成都高新区天府三街219号2栋8、9、10、14、17楼 
          布图设计权利人:成都信息工程大学
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号
          布图设计创作人:杨燕
          布图设计创作完成日:2017年11月25日


          布图设计登记号:BS.175539197
          布图设计申请日:2017年12月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16783
          布图设计名称:L014 txdac_cmv_amp
          布图设计类别:
              结构:Bi-MOS
              技术:其他
              功能?#21512;?#24615;
          布图设计权利人:四川海创天芯科技有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市
          中国(四川)自由贸易实验区成都高新区天府三街219号2栋8、9、10、14、17楼
          布图设计权利人:成都信息工程大学
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号
          布图设计创作人:杨燕
          布图设计创作完成日:2017年12月1日


          布图设计登记号:BS.175539952
          布图设计申请日:2017年12月8日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16784
          布图设计名称:XT539(8位USB单片机)
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:微?#22270;?#31639;机
          布图设计权利人:广州星坛电子产品有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:广东省广州市高新技术产业开发区科学城科学大道33号B栋三层301-303
          布图设计创作人:余得胜
          布图设计创作完成日:2017年10月20日


          布图设计登记号:BS.175540527
          布图设计申请日:2017年12月18日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16785
          布图设计名称:View-Port-Transformer
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯视图(常州)微电子有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:江苏省常州市钟楼区常州科技街B座408室
          布图设计创作人:李海燕
          代理机构:北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
          代理人:安娜
          布图设计创作完成日:2017年11月29日


          布图设计登记号:BS.175010501
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16786
          布图设计名称:VSIBIR
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2015年4月29日


          布图设计登记号:BS.17501051X
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16787
          布图设计名称:VSILFRAFE02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计创作人:芯原微电子(成都)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年4月27日


          布图设计登记号:BS.175010528
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16788
          布图设计名称:VSIPACORE02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010536
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16789
          布图设计名称:VSIPACORE01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010544
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16790
          布图设计名称:VSIR2RDACCORE01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年12月30日


          布图设计登记号:BS.175010552
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16791
          布图设计名称:VSIPLL18CDM
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计创作人:芯原微电子(成都)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年5月20日


          布图设计登记号:BS.175010560
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16792
          布图设计名称:VSITEMPSENSOR02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计创作人:芯原微电子(成都)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年6月20日


          布图设计登记号:BS.175010579
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16793
          布图设计名称:VSIRTC01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:其他
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计创作人:芯原微电子(成都)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年5月17日


          布图设计登记号:BS.175010587
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16794
          布图设计名称:VSIMBLAT10FF
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年6月14日


          布图设计登记号:BS.175010595
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16795
          布图设计名称:VSISMIPSBLK
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010609
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16796
          布图设计名称:VSIDCDC01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010617
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16797
          布图设计名称:VSIUSB30TXTPC
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010625
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16798
          布图设计名称:VSIMIPIDLANE01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月15日


          布图设计登记号:BS.175010633
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16799
          布图设计名称:VSIMIPI01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月15日


          布图设计登记号:BS.175010641
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16800
          布图设计名称:VSIDACMATRIX03
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2015年8月15日


          布图设计登记号:BS.17501065X
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16801
          布图设计名称:VSIBKBT01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010668
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16802
          布图设计名称:VSILNACORE02
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010676
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16803
          布图设计名称:VSISCRIO
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年6月20日


          布图设计登记号:BS.175010684
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16804
          布图设计名称:VSISDADC01SDMBLK
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010692
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16805
          布图设计名称:VSILVDSTXIO01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2013年12月30日


          布图设计登记号:BS.175010706
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16806
          布图设计名称:VSILNACORE01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010714
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16807
          布图设计名称:VSIPLLVCO03
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010730
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16808
          布图设计名称:VSIPGAFP01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年12月20日


          布图设计登记号:BS.175010749
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16809
          布图设计名称:VSIMIXERTX01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010757
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16810
          布图设计名称:VSIRCOSC01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010765
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16811
          布图设计名称:VSIUSB30TPC
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010773
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16812
          布图设计名称:VSILOLONOP01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010781
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16813
          布图设计名称:VSILVDSRXIO01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2013年12月30日


          布图设计登记号:BS.17501079X
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16814
          布图设计名称:VSITRIMBIT01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年6月23日


          布图设计登记号:BS.175010803
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16815
          布图设计名称:VSIPGARFRS01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年12月20日


          布图设计登记号:BS.175010811
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16816
          布图设计名称:VSIUSB30RXTPC
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.17501082X
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16817
          布图设计名称:VSIVTSENSOR01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年5月3日


          布图设计登记号:BS.175010838
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16818
          布图设计名称:VSITIARX01
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2016年6月26日


          布图设计登记号:BS.175010846
          布图设计申请日:2017年11月1日
          公告日期:2018年9月21日
          公告号:16819
          布图设计名称:VSIMBFF10FF
          布图设计类别:
              结构:MOS
              技术:CMOS
              功能:逻辑
          布图设计权利人:芯原微电子(上海)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:上海市浦东新区?#21830;?#36335;560号张江大厦20A
          布图设计权利人:芯原微电子(北京)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园信息中心大厦A座一层A106
          布图设计权利人:芯原微电子(成都)有限公司
          布图设计权利人国籍:中国
          布图设计权利人地址:四川省成都市成都高新区天华二路219号天府软件园C区10栋23层2301房号
          布图设计创作人:芯原微电子(上海)有限公司
          代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
          代理人:余明伟
          布图设计创作完成日:2017年6月14日

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